當你的FIB還在為尋找那個確切的失效點而耗時數小時，徠卡顯微系統的制樣方案已讓目標界面在電鏡下清晰呈現。
半導體失效分析工程師都明白一個殘酷現實：制樣階段的任何偏差，都會導致后續數百萬電鏡分析走向錯誤方向。 隨著芯片工藝進入3納米時代，傳統制樣方法已無法滿足對3D封裝、異質集成結構的分析需求。
徠卡顯微系統電鏡制樣系統通過 “光學精確定位+無應力加工" 的組合，確保您從第一微米就走在正確的分析道路上。

核心痛點：為什么你的失效分析總在第一步就輸了？

1、定位失準：在復雜封裝結構中，無法精準定位到微米級失效點，浪費時間在非目標區域

2、假象引入：機械切割帶來的熱損傷和應力變形，掩蓋真實失效機理

3、效率低下：單個樣品前處理耗時數小時甚至數天，延誤問題解決周期

4、結果不可靠：制樣不一致導致分析結果無法復現，影響根本原因判斷

徠卡顯微系統解決方案：專為半導體失效
分析設計的制樣系統

精研一體機 (EM TXP) + 三離子束研磨儀 (EM TIC 3X) 組合方案

1、精準到微米的定位能力：集成高分辨率光學系統，加工同時實時觀察，實現“所見即所得"的定點制樣

2、零應力損傷的最終表面：三離子束拋光技術去除機械損傷層，暴露材料真實結構，無熱影響區

3、應對各種材料的靈活性：從硬質SiC到軟質聚合物，從室溫到-150°C冷凍切割，全覆蓋半導體材料

4、行業驗證的可靠性：全球頂尖半導體實驗室選擇，為3D IC、先進封裝、功率器件提供可信制樣基礎

Leica EM TXP

Leica EM TIC 3X

應用場景：解決您的具體分析難題

先進封裝失效分析

• 3D IC芯片堆疊界面分層
  

• TSV硅通孔缺陷定位

• 微凸點連接失效分析

前道工藝缺陷排查

• 晶體管柵極結構截面

• 接觸孔形貌表征

• 薄膜界面質量評估

功率電子器件分析

• SiC/GaN器件界面缺陷

• 散熱結構完整性

• 鍵合線連接可靠性

案例展示

01. 面板觀察表面：逐層拋光，去除薄膜二極管或電路表面有機層（LM image）

離子拋光前

離子拋光后

02. 封裝芯片（含通孔鍵合）的截面研磨分析（SEM）

機械研磨（EM TXP）

機械研磨（EM TXP）

為什么實驗室選擇徠卡

1、速度與精度的平衡：數小時內完成從宏觀樣品到電鏡可觀察樣品的制備

2、結果的可重復性：程序化存儲加工參數，確保批次分析結果一致可比

3、完整的生態支持：從制樣到鍍膜再到傳輸，提供一站式解決方案，無縫對接各品牌電鏡

4、全球專家網絡：資深應用團隊提供半導體專項支持，分享最新制樣方法與技巧

為您的電鏡分析提供無可置疑的起點

徠卡顯微系統制樣系統確保您的失效分析從第一步就建立在精準、真實、高效的基礎上。當樣品制備，電鏡下的真相自然浮現。